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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  牛智川;  黄社松;  龚政;  方志丹;  倪海桥;  孙宝权;  李树深;  夏建白
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InxGa1-xAs低维结构的分子束外延生长、表面形貌演化及有序化控制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  龚政
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙彦;  方志丹;  龚政;  苗振华;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方志丹;  龚政;  苗振华;  牛智川;  沈光地
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