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无权访问的条目 期刊论文
作者:  J X Ran;   B Y Liu;   X L Ji;   A Fariza;   Z T Liu;   J X Wang;   P Gao;   T B Wei
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  K.C. Wang;  G.D.Yuan n;  R.W.Wu;  H.X.Lu;  Z.Q.Liu;  T.B.Wei;  J.X.Wang;  J.M.Li;  W.J.Zhang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  L. Wang;  G. D. Yuan;  R. F. Duan;  F. Huang;  T. B. Wei;  Z. Q. Liu;  J. X. Wang;  J. M. Li
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  R. W. Wu;  G. D. Yuan;  K. C. Wang;  T. B. Wei;  Z. Q. Liu;  G. H. Wang;  J. X. Wang;  J. M. Li
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张连;  魏学成;  路坤熠;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Liu, N.X.;  Wei, T.B.;  Ji, X.L.;  Ma, P.;  Yan, J.C.;  Wang, J.X.;  Zeng, Y.P.;  Li, J.M.;  Zhang, L.(zhanglian07@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB (Wei T. B.);  Hu Q (Hu Q.);  Duan RF (Duan R. F.);  Wei XC (Wei X. C.);  Yang JK (Yang J. K.);  Wang JX (Wang J. X.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang GH (Wang G. H.);  Li JM (Li J. M.);  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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低位错氮化镓的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  吴奎;  魏同波;  闫建昌;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
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制备GaN厚膜垂直结构LED的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人:  羊建坤;  魏同波;  胡强;  霍自强;  段瑞飞;  王军喜
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