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半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  赵玲慧;  曾一平;  李成基
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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Li JM (Li Jin-Min);  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Li JY (Li Jia-Ye);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liuxf@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HQ (Zhao Hong-Quan);  Yu LJ (Yu Li-Juan);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Zhao, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhggeneral@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L (Zhao Lei);  Chen YH (Chen Yong-hai);  Zuo YH (Zuo Yu-hua);  Wang HN (Wang Hai-ning);  Shi WH (Shi Wen-hua);  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HQ (Zhao Hong-Quan);  Yu LJ (Yu Li-Juan);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Zhao, HQ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhggeneral@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于丽娟;  赵洪泉;  杜云;  黄永箴
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