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晶片直接键合过程中实验参数的优化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵洪泉;  于丽娟;  黄永箴
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一种低温晶片直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵洪泉;  于丽娟;  黄永箴
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于丽娟;  赵洪泉;  杜云;  李敬;  黄永箴
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Si 与InP 键合研究及Si 基InGaAsP 激光器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  赵洪泉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HQ (Zhao Hong-Quan);  Yu LJ (Yu Li-Juan);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Zhao, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhggeneral@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HQ (Zhao Hong-Quan);  Yu LJ (Yu Li-Juan);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Zhao, HQ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhggeneral@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于丽娟;  赵洪泉;  杜云;  黄永箴
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙元平;  付羿;  渠波;  王玉田;  冯玉宏;  赵德刚;  郑新和;  段俐宏;  李秉臣;  张书明;  杨辉;  姜晓明;  郑文莉;  贾全杰
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硅基化合物半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091403.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  于丽娟;  杜云;  赵烘泉;  黄永箴
Adobe PDF(454Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1228/160  |  提交时间:2011/08/30