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氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯淦;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang H;  Guo YQ;  Yang LT;  Liua, QL;  Feng WC;  Liang JK;  Rao GH;  Chang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Qinghua Donglu Jia 35,Haidian Dist, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chang_hong2@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗谦;  杨谟华;  杜江锋;  梅丁蕾;  王良臣;  白云霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  杨笛;  严清峰;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨晓红;  梁琨;  韩勤;  牛智川;  杜云;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yun Xu;  Qing Cao;  Xiaopeng Zhu;  Guohua Yang;  Qiaoqiang Gan;  Guofeng Song;  Liang Guo;  Yuzhang Li;  Lianghui Chen
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