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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
;
吴晓光
;
郑厚植
Adobe PDF(336Kb)
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浏览/下载:1181/141
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提交时间:2009/06/11
一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
曾宇昕
;
杨富华
;
徐萍
;
刘伟
Adobe PDF(695Kb)
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浏览/下载:1033/161
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提交时间:2009/06/11
无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
蒋春萍
;
郑厚植
;
邓加军
;
杨富华
;
牛智川
Adobe PDF(363Kb)
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浏览/下载:1045/184
  |  
提交时间:2009/06/11
半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
曾宇昕
;
王水凤
;
杨富华
;
曾庆城
Adobe PDF(512Kb)
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浏览/下载:937/165
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提交时间:2009/06/11
一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郑厚植
;
李桂荣
;
杨富华
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浏览/下载:1296/165
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提交时间:2009/06/11
共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
王建林
;
伊小燕
;
马龙
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浏览/下载:1060/166
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提交时间:2009/06/11
对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
姜磊
;
白云霞
;
王莉
Adobe PDF(207Kb)
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浏览/下载:1287/204
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen HB
;
Li ZF
;
Wei L
;
Yang FH
;
Feng SL
;
Zheng HH
;
Chen, HB, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hbchen@semi.ac.cn
;
fhyang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen HB (Chen Haibo)
;
Li ZF (Li Zhaofeng)
;
Chen JJ (Chen Jianjun)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
;
Feng SL (Feng Songlin)
;
Zheng HZ (Zheng Houzhi)
;
Chen, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hbchen@semi.ac.cn
;
fhyang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1136/283
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma L (Ma Long)
;
Huang YL (Huang Ying-Long)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Yang FH (Yang Fu-Hua)
;
Wang LC (Wang Liang-Chen)
;
Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11