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磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周剑平;  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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一种探测功率范围可调的光电探测器及其列阵 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
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波导型偏振模式分离器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-09-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
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具有自动调节功能的光学衰减器模块 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-07-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
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多模干涉型光学衰减器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
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组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system 会议论文
THIN SOLID FILMS, 430 (1-2), DENVER, COLORADO, SEP 10-13, 2002
作者:  Zhang Q;  Zhu M;  Wang L;  Liu E;  Zhu M Chinese Acad Sci Dept Phys Grad Sch POB 3908 Beijing 100039 Peoples R China.
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Amorphous-silicon  Deposition  
Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:  Li Q;  Fang ZL;  Xu SJ;  Li GH;  Xie MH;  Tong SY;  Zhang XH;  Liu W;  Chua SJ;  Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Piezoelectric Field  Photoluminescence  Temperature  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Q;  Zhu M;  Wang L;  Liu E;  Zhu M,Chinese Acad Sci,Dept Phys,Grad Sch,POB 3908,Beijing 100039,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong YC;  Zhou DY;  Lan Q;  Liu JL;  Miao ZH;  Feng SL;  Niu ZC;  Kong YC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Micostruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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