中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1266/227  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Duan RF;  Wang JX;  Li JM;  Huo ZQ;  Ma P;  Liu Z;  Zeng YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
Adobe PDF(661Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1059/329  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z (Liu Zhe);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Wang JX (Wang Junxi);  Hu GX (Hu Guoxin);  Guo LC (Guo Lunchun);  Li JP (Li Jianping);  Li JM (Li Jinmin);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(253Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1523/415  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Luo, MC;  Li, JM;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1047/264  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Ma P;  Duan RF;  Wang JX;  Li JM;  Liu Z;  Zeng YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1516/569  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z (Liu Zhe);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Wang JX (Wang Jun-Xi);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Guo LC (Guo Lun-Chun);  Li JM (Li Jin-Min);  Liu, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuzhe@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(947Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1198/465  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Li JY (Li Jia-Ye);  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Li JM (Li Jin-Min);  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1014/248  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB (Wei Tongbo);  Wang JX (Wang Junxi);  Li JM (Li Jinmin);  Liu Z (Liu Zhe);  Duan RF (Duan Ruifei);  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(169Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：982/292  |  提交时间：2010/03/29
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1333/197  |  提交时间：2010/03/29
Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Duan RF;  Wang JX;  Li JM;  Huo ZQ;  Ma P;  Liu Z;  Zeng YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(615Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1136/362  |  提交时间：2010/03/29