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键合强度可调节的柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  王占国
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半导体材料电信号测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张砚华;  卢励吾;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei WS;  Wang TM;  Zhang CX;  Li GH;  Li YX;  Wei WS,Beijing Univ Aeronaut & Astronaut,Sch Sci,Ctr Mat Phys & Chem,Sch Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang ZY;  Li CM;  Jin P;  Meng XQ;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Spectrum  
The plasmon resonance absorption of Ag/SiO2 nanocomposite films 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Yang L;  Liu YL;  Wang QM;  Shi HZ;  Li GH;  Zhang LD;  Yang L Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Ag/sio2 Nanocomposite Film  Plasmon Resonance Absorption  Mie Theory  Surface Resonance State  Quantum Size Effect  Image-potential States  Optical-properties  Surfaces  Lifetimes  Particles  Electron  Ag  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG;  Ma XY;  Li CY;  Zhang ZG;  Zhang BY;  Wang YG,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 1000383,Peoples R China.
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Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:  Li Q;  Fang ZL;  Xu SJ;  Li GH;  Xie MH;  Tong SY;  Zhang XH;  Liu W;  Chua SJ;  Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Piezoelectric Field  Photoluminescence  Temperature  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BY;  Li G;  Chen M;  Zhang ZG;  Wang YG;  Zhang BY,Beijing Univ Technol,Coll Laser Engn,Beijing 100022,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Chen YH;  Li DB;  Zhang FQ;  Yang SY;  Ma BS;  Sun GS;  Wang ZG;  Zhang XP;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Lab Semicond Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin JZ;  Du GT;  Liu SP;  Zhang YT;  Yin ZY;  Yang HJ;  Yang XI;  Ma Y;  Li WC;  Yang SR;  Du GT,Jilin Univ,Coll Elect Sci & Engn,State Key Lab Integrated Optoelect,Jiefang Rd 119,Changchun 130023,Peoples R China.
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