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自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘金龙;  李树深;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu M;  Zhang BS;  Chen J;  Liu JP;  Shen XM;  Zhao DG;  Zhang JC;  Wang JF;  Li N;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Yang H;  Wu, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yi WB;  Zhang EX;  Chen M;  Li N;  Zhang GQ;  Liu ZL;  Wang X;  Yi, WB, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, Shanghai 20050, Peoples R China.
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Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Zheng, ZS;  Liu, ZL;  Zhang, GQ;  Li, N;  Fan, K;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Li, N;  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Fan, K;  Zheng, ZS;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Simox  Fluorine  Ionizing Radiation  
Influence of fluorine on radiation-induced charge trapping in the SIMOX buried oxides 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Li, N;  Zhen, ZS;  Liu, GH;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Zhang, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Fluorine  Simox  Charge Trapping  Radiation  Sio2  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王海嵩;  杜国同;  许成栋;  宋俊峰;  唐君;  陈弘达;  刘宇;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张胜利;  孙建伟;  刘宇;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张胜利;  刘宇;  孙建伟;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄辉;  王兴妍;  王琦;  黄永清;  任晓敏;  高俊华;  张胜利;  刘宇;  祝宁华;  马骁宇;  杨晓红;  吴荣汉
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