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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人:  冯玉霞;  杨少延;  魏鸿源;  焦春美;  孔苏苏
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半导体材料微区应力测试系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人:  高寒松;  陈涌海;  张宏毅;  刘雨
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材料的微区应力测试系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  高寒松;  陈涌海;  刘雨;  张宏毅;  黄威;  朱来攀;  李远;  邬庆
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