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| 准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 丁颖; 王圩; 王书学; 朱洪亮
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| 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 徐晓华; 倪海桥; 徐应强 ; 韩勤; 吴荣汉
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| 1.5μm n 型调制掺杂量子阱材料和相关器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 张瑞英
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| 1.3 µm GaAs 基量子阱、量子点垂直腔面发射激光器 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 佟存柱
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| 含锑化合物半导体量子阱结构的光学性质 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 屈玉华
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| 大应变量子阱长波长半导体激光器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 潘教青
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| 1.3-1.55 m GaInNAs 多量子阱共振腔增强型探测器 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 徐应强
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 江德生
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王俊; 马骁宇; 林涛; 郑凯; 冯小明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 额尔敦朝鲁; 李树深; 肖景林
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