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Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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Molecular Beam Epitaxy  Quantum Wells  Gaassb/gaas  Gaas  Lasers  Gain  
Methods to tune the electronic states of self-organized InAs/GaAs quantum dots 会议论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 279 (1-3), HONG KONG, HONG KONG, JUN 21-25, 1999
作者:  Wang H;  Niu ZC;  Zhu HJ;  Wang ZM;  Jiang DS;  Feng SL;  Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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Quantum Dot  Growth Interruption  Quantum Dot Laser  
Structural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors 会议论文
1997 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS, HONG KONG, HONG KONG, 35672
作者:  Wu WG;  Jiang DS;  Cui LQ;  Song CY;  Zhuang Y;  Wu WG Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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