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| 染料敏化太阳能电池纳米复合光阳极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280259A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-12-14, 2012-08-29
发明人: 王美丽; 李京波; 王岩
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| 纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102222572A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-10-19, 2012-08-29
发明人: 王美丽; 李京波; 王岩
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| 一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157265A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-08-17, 2012-08-29
发明人: 王岩; 李京波; 王美丽
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| 在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人: 査国伟; 李密锋; 喻颖; 王莉娟; 徐建星; 尚向军; 倪海桥; 贺振宏; 牛智川
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| 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 喻颖; 李密锋; 贺继方; 査国伟; 徐建星; 尚向军; 王莉娟; 倪海桥; 贺振宏; 牛智川
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| 在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 赵建华; 王思亮; 俞学哲; 王海龙
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| 在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 査国伟; 李密锋; 喻颖; 王莉娟; 徐建星; 尚向军; 倪海桥; 贺振宏; 牛智川
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| 一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
发明人: 赵建华; 潘东
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