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| 高性能垂直外腔面发射激光器 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 邱小浪
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| 高性能垂直腔面发射激光器的模式控制研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 谢新宇
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| 基于超材料的太赫兹偏振器件与完美吸收体的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 焦晓飞
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| 三五族化合物半导体材料的分子束外延技术研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 苏大鸿
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| InGaAs近红外探测器的研究及多光谱探测的理论 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 张林奥
Adobe PDF(7313Kb) | 收藏 | 浏览/下载：462/10 | 提交时间：2020/08/31 |
| 分子束外延生长的 InAs/GaSb 二类超晶格材料的电学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 郭晓璐
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Huang JL (Huang Jian-Liang); Wei Y (Wei Yang); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Yang T (Yang Tao); Chen LH (Chen Liang-Hui); Wei, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
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| 高性能1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 季海铭
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄建亮; 卫炀; 马文全; 杨涛; 陈良惠
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| HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张宇; 王国伟; 汤宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川; 陈良惠
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