|
Selected(0)Clear
Items/Page: Sort: |
| High-brightness 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot tapered laser with high temperature stability 期刊论文
OPTICS LETTERS, 2012, 卷号: 37, 期号: 19, 页码: 4071-4073
Authors: Cao YL (Cao, Yulian); Ji HM (Ji, Haiming); Xu PF (Xu, Pengfei); Gu YX (Gu, Yongxian); Ma WQ (Ma, Wenquan); Yang T (Yang, Tao)
 Adobe PDF(206Kb) |  Favorite | View/Download：694/198 | Submit date：2013/03/27 |
| 高性能1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
Authors: 季海铭
Adobe PDF(11409Kb) | Favorite | View/Download：1282/178 | Submit date：2010/07/12 |
| 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007
Inventors: 杨 涛; 季海铭
Adobe PDF(307Kb) | Favorite | View/Download：943/204 | Submit date：2010/03/19 |
| p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1896-1900
Authors: 季海铭 ; 曹玉莲; 杨涛; 马文全; 曹青; 陈良惠
Adobe PDF(486Kb) | Favorite | View/Download：1098/323 | Submit date：2010/11/23 |
| 生长InP基InAs量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
Inventors: 季海铭; 罗帅; 杨涛
Adobe PDF(434Kb) | Favorite | View/Download：453/101 | Submit date：2014/10/24 |
| 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
Inventors: 罗帅; 季海铭; 杨涛
Adobe PDF(361Kb) | Favorite | View/Download：411/79 | Submit date：2014/10/28 |
| 锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
Inventors: 季海铭; 罗帅; 杨涛
Adobe PDF(292Kb) | Favorite | View/Download：377/112 | Submit date：2014/12/25 |
| 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors: 杨涛; 高凤; 罗帅; 季海铭
Adobe PDF(531Kb) | Favorite | View/Download：194/29 | Submit date：2016/09/28 |
| 大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors: 罗帅; 季海铭; 杨涛
Adobe PDF(446Kb) | Favorite | View/Download：281/6 | Submit date：2016/09/28 |
| 二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors: 罗帅,季海铭,高凤,杨涛
Adobe PDF(496Kb) | Favorite | View/Download：218/6 | Submit date：2016/08/30 |
