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| High-brightness 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot tapered laser with high temperature stability 期刊论文 OPTICS LETTERS, 2012, 卷号: 37, 期号: 19, 页码: 4071-4073 Authors: Cao YL (Cao, Yulian); Ji HM (Ji, Haiming); Xu PF (Xu, Pengfei); Gu YX (Gu, Yongxian); Ma WQ (Ma, Wenquan); Yang T (Yang, Tao)
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| 高性能1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2010 Authors: 季海铭
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| 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007 Inventors: 杨 涛; 季海铭
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| p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究 期刊论文 物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1896-1900 Authors: 季海铭 ; 曹玉莲 ; 杨涛 ; 马文全 ; 曹青; 陈良惠
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| 生长InP基InAs量子阱的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20 Inventors: 季海铭; 罗帅; 杨涛
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| 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19 Inventors: 罗帅; 季海铭; 杨涛
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| 锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 Inventors: 季海铭; 罗帅; 杨涛
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| 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 Inventors: 杨涛; 高凤; 罗帅; 季海铭
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| 大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 Inventors: 罗帅; 季海铭; 杨涛
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| 二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 Inventors: 罗帅,季海铭,高凤,杨涛
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