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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
叶小玲 [1]
徐波 [1]
文献类型
会议论文 [7]
发表日期
2001 [2]
2000 [1]
1999 [2]
1998 [2]
语种
英语 [7]
出处
1998 5TH I... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
MICROELECT... [1]
PHYSICA E,... [1]
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收录类别:CPCI\-S
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS, 2, KANAZAWA, JAPAN, MAY 27-31, 2001
作者:
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Lan Q
;
Kong YC
;
Zhou DY
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular Beam Epitaxy
Ingaas Islands
Photolumineseence
Line-width
1.3 Mu-m
Inas/gaas Quantum Dots
Optical-properties
Cap Layer
Gaas
Luminescence
Strain
Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Crystal Morphology
Quantum Dots
Molecular Beam Epitaxy
Semiconducting Gallium Arsenide
Semiconducting Indium Gallium Arsenide
1.35 Mu-m
Gaas-surfaces
Photoluminescence
Islands
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Jiang WH
;
Xu HZ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Zhou W
;
Ding D
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Quantum Dots
High Index
Molecular Beam Epitaxy
Photoluminescence
Surface Segregation
Oriented Gaas
Ingaas
Islands
Wells
Disks
Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Zhuang QD
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Chen YH
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
InGaas Gaas Quantum Dots
Infrared Absorption
Self-organization
X-ray-diffraction
Islands
Transitions
Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Zhuang QD
;
Li HX
;
Pan L
;
Li JM
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
X-ray-diffraction
Islands
Surfaces
Growth
Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
;
Zhang W
;
Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Coherent Islands
Gaas
Growth
Dots
Dislocations
Temperature
Mechanisms
Si(001)
Ingaas
New method for the growth of highly uniform quantum dots
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 43-4, LISBON, PORTUGAL, MAY 19-21, 1997
作者:
Pan D
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Pan D Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dongpan@red.senu.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Self-formed Quantum Dot
Stranski-krastanow Growth Mode
Superlattice
Molecular-beam Epitaxy
Ingaas
Gaas
Dislocations
Multilayers
Defects
Strain