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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Dongmei;  Wang Jinyan;  Zhao Degang;  Wen Zheng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding, CR;  Wang, HZ;  Xu, B;  Wang, HZ, Zhongshan Sun Yat Sen Univ, State Key Lab Optoelect Mat & Technol, Guangzhou 510275, Peoples R China. 电子邮箱地址: stswhz@zsu.edu.cn
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Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy 会议论文
PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS, 2, KANAZAWA, JAPAN, MAY 27-31, 2001
作者:  Niu ZC;  Wang XD;  Miao ZH;  Lan Q;  Kong YC;  Zhou DY;  Feng SL;  Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
收藏  |  浏览/下载：1182/0  |  提交时间：2010/10/29
Molecular Beam Epitaxy  Ingaas Islands  Photolumineseence  Line-width  1.3 Mu-m  Inas/gaas Quantum Dots  Optical-properties  Cap Layer  Gaas  Luminescence  Strain