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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 龚萍
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| 基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 李稚博
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| 低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 闫果果
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| 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 田丽欣
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| VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 曹可慰
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锗 单晶 垂直梯度凝固 多结电池 热施主 |
| 宽禁带半导体碳化硅(SiC)生长工艺及多片大面积外延技术的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者: 闫果果
Adobe PDF(2242Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1467/110 | 提交时间：2011/06/01 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵杰; 曾一平
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| 立方相碳化硅高量程微机械加速度计研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 杨挺
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张明兰; 王晓亮; 杨瑞霞; 胡国新
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| 用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033965.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 殷海波; 王晓亮; 胡国新; 冉军学; 肖红领; 张露; 李晋闽
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