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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hao XP;  Cui DL;  Shi GX;  Yin YQ;  Xu XG;  Wang JY;  Jiang MH;  Xu XW;  Li YP;  Sun BQ;  Cui DL,Shandong Univ,State Key Lab Crystal Mat,Jinan 250100,Peoples R China.
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High-quality GaN grown by gas-source MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Wang JX;  Sun DZ;  Wang XL;  Li JM;  Zeng YP;  Hou X;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Characterization  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Nitrides  Piezoelectric Materials  Semiconducting Gallium Compounds  Molecular-beam Epitaxy  Heterostructures  Sapphire  Diodes  
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Kong MY;  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Impurities  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Semiconducting Iii-v Materials  Gallium Nitride  Sapphire Substrate  Defects  Heterostructure  Semiconductors  Stress  
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Xu DP;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelectron POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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X-ray Diffraction  Nitrides  Semiconducting Iii-v Materials  Phase  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wan SP;  Xia JB;  Chang K;  Wan SP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: wanshoupu@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Labs Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong MY;  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Xu DP;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelectron,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JX;  Sun DZ;  Wang XL;  Li JM;  Zeng YP;  Hou X;  Lin LY;  Wang JX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Feng ZH;  Liu SA;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Labs Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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