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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LS (Li Linsen);  Guan M (Guan Min);  Cao GH (Cao Guohua);  Li YY (Li Yiyang);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Guan, M, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guanmin@semi.ac.cn;  ypzeng@red.semi.ac.cn
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ZnMgO合金材料的MOCVD生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  杨安丽
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Znmgo  Mocvd  纳米结构  异质结  价带差  
ZnO 材料的MOCVD 生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  王振华
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Zno  Mocvd  甲醇  价带差  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Y;  Zhao DG;  Wu LL;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Zhang SM;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu QA;  Wei TB;  Duan RF;  Yang JK;  Huo ZQ;  Lu TC;  Zeng YP;  Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang JL (Huang Jian-Liang);  Wei Y (Wei Yang);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Yang T (Yang Tao);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Wei, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄寓洋;  刘惠春;  Wasileweski Z R;  Buchanan M;  Laframboise S R;  杨晨;  崔国新;  边历峰;  杨辉;  张耀辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘博;  杨宇;  陈雄斌;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡炜杰;  赵有文;  段满龙;  王应利;  王俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高建霞;  宋国峰
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