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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [36]
作者
伊晓燕 [8]
刘志强 [4]
丁凯 [2]
段瑞飞 [1]
张连 [1]
文献类型
专利 [32]
期刊论文 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2015 [1]
2014 [1]
2013 [2]
语种
中文 [14]
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出处
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中国科学: 物理学 ... [1]
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专题:中科院半导体照明研发中心
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
张连
;
魏学成
;
路坤熠
;
魏同波
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:467/8
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提交时间:2016/04/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, Tongbo
;
Zhang, Lian
;
Ji, Xiaoli
;
Wang, Junxi
;
Huo, Ziqiang
;
Sun, Baojun
;
Hu, Qiang
;
Wei, Xuecheng
;
Duan, Ruifei
;
Zhao, Lixia
;
Zeng, Yiping
;
Li, Jinmin
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提交时间:2015/03/19
GaN 基垂直结构 LED 工艺研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:
汪炼成
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浏览/下载:1783/293
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提交时间:2013/06/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, Liancheng
;
Zhang, Yiyun
;
Li, Xiao
;
Liu, Zhiqiang
;
Zhang, Lian
;
Guo, Enqing
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Guohong
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浏览/下载:907/204
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提交时间:2013/09/17
氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郭恩卿
;
伊晓燕
;
汪炼成
;
孙波
;
王国宏
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浏览/下载:1514/234
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提交时间:2012/09/09
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
詹腾
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
刘志强
;
伊晓燕
;
王国宏
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浏览/下载:1473/211
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提交时间:2012/09/09
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张逸韵
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
孙波
;
伊晓燕
;
王国宏
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浏览/下载:2062/355
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提交时间:2012/09/09
氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
郭恩卿
;
刘志强
;
汪炼成
;
伊晓燕
;
王莉
;
王国宏
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浏览/下载:1771/234
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提交时间:2011/08/31
利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
张连
;
丁凯
;
王军喜
;
段瑞飞
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1789/279
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提交时间:2011/08/31
氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
汪炼成
;
郭恩卿
;
刘志强
;
伊晓燕
;
王国宏
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浏览/下载:1685/262
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提交时间:2011/08/31