SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法; 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法
詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法,包括:步骤1:选择一外延结构,该外延结构包括衬底和氮化镓LED外延层;步骤2:在外延层上沉积SiO2层;步骤3:运用光刻技术,通过匀胶,前烘,曝光,坚膜,在SiO2层上形成光刻胶图形,该光刻胶图形覆盖SiO2层表面周边的部分面积;步骤4:腐蚀未被光刻胶图形掩盖的SiO2层,露出外延层;步骤5:剥离去掉光刻胶图形位置的光刻胶;步骤6:在腐蚀掉SiO2层位置的外延层上,蒸镀ITO层;步骤7:在未被腐蚀的SiO2层的表面相对的两边,蒸发接触金属电极,完成二极管隐形电极的制作。
部门归属中科院半导体照明研发中心
专利号 CN102208502A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110152869.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23508
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
詹腾,汪炼成,郭恩卿,等. 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法, 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法.  CN102208502A.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作(278KB) 限制开放使用许可请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[詹腾]的文章
[汪炼成]的文章
[郭恩卿]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[詹腾]的文章
[汪炼成]的文章
[郭恩卿]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[詹腾]的文章
[汪炼成]的文章
[郭恩卿]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。