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中国科学院半导体研究所机构知识库
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发表日期:2018
专题:中国科学院半导体研究所
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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
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浏览/下载:1154/61
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提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
沈桂英
Adobe PDF(4309Kb)
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浏览/下载:630/18
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提交时间:2018/06/04
Inas单晶
热退火
离子注入
缺陷复合体
杂质带电导
面向新型红外探测应用的GaSb单晶制备、物性及缺陷控制
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
白永彪
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浏览/下载:758/27
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提交时间:2018/06/01
基于铁酸铋的光热电耦合器件研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
亓佳
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提交时间:2018/05/25
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期刊论文
作者:
Gaoqiang Deng
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Long Yan
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Xu Han
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Degang Zhao
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Guotong Du
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提交时间:2019/11/19
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期刊论文
作者:
H.R. Qi
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L.K. Yi
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;
S.T. Liu
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M. Zhou
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D.G. Zhao
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D.S. Jiang
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提交时间:2019/11/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Feng Liang
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Degang Zhao
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Zongshun Liu
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Shuangtao Liu
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Yao Xing
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Yuantao Zhang
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Guotong Du
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提交时间:2019/11/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiang-Bin Wu
;
Miao-Ling Lin
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Xin Cong
;
He-Nan Liu and Ping-Heng Tan
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提交时间:2019/09/22
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期刊论文
作者:
Shuai Chen
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Zheng Lou
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Di Chen
;
Guozhen Shen
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提交时间:2019/11/18
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期刊论文
作者:
Xing Wei
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Ran Yao
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Fengni He
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Wei Wang
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Zifeng Xie
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Li Duan
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提交时间:2019/11/15