|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 基于四方相ZrO2缺陷的DRAM电容器可靠性研究 学位论文
理学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 李广卓
 Adobe PDF(3295Kb) |  收藏 | 浏览/下载：133/0 | 提交时间：2023/07/03 |
| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
Adobe PDF(5304Kb) | 收藏 | 浏览/下载：382/7 | 提交时间：2021/06/18 |
| GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 余丁
Adobe PDF(3273Kb) | 收藏 | 浏览/下载：486/11 | 提交时间：2019/09/22 |
| InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 刘炜
Adobe PDF(1908Kb) | 收藏 | 浏览/下载：891/61 | 提交时间：2018/06/20
Ingan 量子阱 薄膜 极化效应 局域态 本底载流子浓度 |
| InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 沈桂英
Adobe PDF(4309Kb) | 收藏 | 浏览/下载：494/17 | 提交时间：2018/06/04
Inas单晶 热退火 离子注入 缺陷复合体 杂质带电导 |
| 面向新型红外探测应用的GaSb单晶制备、物性及缺陷控制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 白永彪
Adobe PDF(6437Kb) | 收藏 | 浏览/下载：579/26 | 提交时间：2018/06/01 |
| GaN材料掺杂特性及LED器件droop效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 付丙磊
Adobe PDF(6373Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1210/91 | 提交时间：2015/06/03 |
