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| 锑化镓和砷化铟衬底的抛光损伤及晶格完整性研究 学位论文 工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 冯银红 Adobe PDF(5633Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:117/3  |  提交时间:2023/07/03 |
| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 周媛 Adobe PDF(5304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:339/7  |  提交时间:2021/06/18 |
| InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 孙静 Adobe PDF(4082Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:337/5  |  提交时间:2020/08/05 |
| InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者: 沈桂英 Adobe PDF(4309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:462/17  |  提交时间:2018/06/04 Inas单晶 热退火 离子注入 缺陷复合体 杂质带电导 |
| GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2015 作者: 陶东言 Adobe PDF(5924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:770/36  |  提交时间:2015/05/29 稀磁半导体 Gan Gasb 表面钝化 肖特基器件 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 胡炜杰; 赵有文; 段满龙; 王应利; 王俊 Adobe PDF(687Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1025/348  |  提交时间:2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 赵有文; 孙文荣; 段满龙; 董志远; 杨子祥; 吕旭如; 王应利 Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:948/289  |  提交时间:2010/11/23 |
| 一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241700.9, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 朱峰; 李京波 Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1148/167  |  提交时间:2011/08/30 |