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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马睿;  张文涛;  李学成;  李芳;  刘育梁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji HM;  Cao YL;  Yang T;  Ma WQ;  Cao Q;  Chen LH;  Ji HM Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  杨富华;  王良臣;  黄应龙
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共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  王良臣;  黄应龙;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  杨富华;  王良臣;  余洪敏;  黄应龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姜其畅;  卓壮;  王勇刚;  李健;  苏艳丽;  马骁宇;  张志刚;  王清月
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  章蓓;  栾峰;  徐军;  金艳波;  徐万劲;  张会珍;  钱怡;  马骁宇;  朱恪;  刘玉龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐刚毅;  王天民;  李国华;  王金良;  何宇亮;  马智训;  郑国珍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张志坚;  郭奕理;  马敏;  张权生;  周炳琨
Adobe PDF(122Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:837/222  |  提交时间:2010/11/23