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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
段瑞飞 [2]
魏同波 [2]
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专利 [3]
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发表日期
2008 [1]
2006 [2]
2000 [1]
1998 [1]
1989 [1]
语种
中文 [6]
出处
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SEMI OpenIR
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一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
段瑞飞
;
刘喆
;
钟兴儒
;
魏同波
;
马平
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2009/06/11
制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘喆
;
王军喜
;
钟兴儒
;
李晋闽
;
曾一平
;
段瑞飞
;
马平
;
魏同波
;
林郭强
Adobe PDF(457Kb)
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浏览/下载:1672/189
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
赵有文
;
孙文荣
;
段满龙
;
董志远
;
杨子祥
;
吕旭如
;
王应利
Adobe PDF(532Kb)
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浏览/下载:948/289
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提交时间:2010/11/23
非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
林兰英
;
王玉田
;
何宏家
;
钟兴儒
Adobe PDF(259Kb)
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浏览/下载:1498/205
  |  
提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
尹峰
;
李学萍
;
肖绪瑞
;
张宝文
;
曹怡
;
李国华
;
韩和相
;
汪兆平
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浏览/下载:792/228
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提交时间:2010/11/23
微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究
成果
1989
主要完成人:
林兰英
;
周伯骏
;
钟兴儒
;
王占国
;
石志文
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浏览/下载:1228/0
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提交时间:2010/04/13
Gaas单晶