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采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  杨富华;  王良臣;  黄应龙
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基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  王良臣;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ren, YY (Ren Yun-Yun);  Xu, B (Xu Bo);  Wang, ZG (Wang Zhan-Guo);  Liu-Ming (Liu-Ming);  Long, SB (Long Shi-Bing);  Ren, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yunyun_ren@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, JY (Peng, Ji-ying);  Miao, JG (Miao, Jie-guang);  Wang, YG (Wang, Yong-gang);  Wang, BS (Wang, Bao-shan);  Tan, HM (Tan, Hui-ming);  Qian, LS (Qian, Long-sheng);  Ma, XY (Ma, Xiao-yu);  Peng, JY, Chinese Acad Sci, Chungchun Inst Opt Fine Mech & Phys, Changchun 130022, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyingpeng111@163.com
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Zinc phthalocyanine (ZnPc) incorporated into silicon matrix grown by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) 会议论文
PROCEEDINGS OF ISES SOLAR WORLD CONGRESS 2007, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 18-21, 2007
作者:  Zhang, CS;  Wang, ZG;  Shi, MJ;  Peng, WB;  Diao, HW;  Liao, XB;  Long, GL;  Zeng, XB;  Zhang, CS, CAS, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Photovoltaic Applications  Cells  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  彭继迎;  檀慧明;  钱龙生;  柴路;  张志刚;  王清月;  林涛;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  张杨;  戴扬;  杨富华;  曾一平;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王立彬;  陈宇;  刘志强;  伊晓燕;  马龙;  潘领峰;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王立彬;  刘志强;  陈宇;  伊晓燕;  马龙;  潘领峰;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dai Yang;  Huang Yinglong;  Liu Wei;  Ma Long;  Yang Fuhua;  Wang Liangchen;  Zeng Yiping;  Zheng Houzhi
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