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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  徐晓华;  倪海桥;  徐应强;  韩勤;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang ZD;  Gong Z;  Miao ZH;  Niu ZC;  Shen GD;  Fang, ZD, Beijing Polytech Univ, Optoelect Technol Lab, Beijing 100022, Peoples R China.
Adobe PDF(300Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：817/187  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma BS;  Wang XD;  Luo JW;  Su FH;  Fang ZL;  Ding K;  Niu ZC;  Li GH;  Ma, BS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(540Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1038/306  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tong, CZ;  Niu, ZC;  Han, Q;  Wu, RH;  Tong, CZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(252Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1121/228  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, QR;  Niu, ZC;  Dong, QR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microsstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qrdong@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(223Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：635/178  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XH;  Niu ZC;  Ni HQ;  Xu YQ;  Zhang W;  He ZH;  Han Q;  Wu RH;  Jiang DS;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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