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高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-05-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵有文
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu WG;  Wang Z;  Su BF;  Dai YQ;  Wang SJ;  Zhao YW;  Wang, Z, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangz@whu.edu.cn
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Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Zeng YP;  Sun NF;  Sun TN;  Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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Fe-doped Inp  Semiinsulating Inp  Point-defects  Pressure  Wafers  Traps  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR;  Zeng, YP;  Sun, NF;  Sun, TN;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, WG;  Wang, Z;  Dai, YQ;  Wang, SJ;  Zhao, YW;  Hu, WG, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangz@whu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Zhao YW;  Sun NF;  Yang GY;  Xu YQ;  Sun TN;  Zhou, XL, Hebei Semicond Res Inst, POB 17940,Shijiazhuang, Hebei 050051, Peoples R China. 电子邮箱地址: tnsun@heinfo.net
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Defects in GaSb studied by coincidence Doppler broadening measurements 会议论文
POSITRON ANNIHILATION, ICPA-13, PROCEEDINGS, 445-6, Kyoto, JAPAN, SEP 07-12, 2003
作者:  Hu WG;  Wang Z;  Dai YQ;  Wang SJ;  Zhao YW;  Hu WG Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China. 电子邮箱地址: wangz@whu.edu.cn
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Coincidence Doppler Broadening  Defects  Gasb  Positron Annihilation  
Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration 会议论文
SMIC-XIII2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhang, YH;  Li, CJ;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Deep-level Defects  Fe-doped Inp  Grown Inp  Spectroscopy  Resonance  Wafer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  董志远;  赵有文;  曾一平;  段满龙;  李晋闽
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