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输出波形可调密集波分复用系统集成器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李健;  胡雄伟;  王红杰;  安俊明
Adobe PDF(321Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1014/127  |  提交时间：2009/06/11
提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  杨丽卿;  徐嘉东;  胡传贤;  段晓峰;  高旻;  朱建成;  王凤莲
Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1298/182  |  提交时间：2009/06/11
半导体纳米结构物理性质的理论研究 成果
2004
主要完成人:  夏建白;  李树深;  常凯;  朱邦芬
收藏  |  浏览/下载：2043/0  |  提交时间：2010/04/13
纳米结构  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yi WB;  Zhang EX;  Chen M;  Li N;  Zhang GQ;  Liu ZL;  Wang X;  Yi, WB, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, Shanghai 20050, Peoples R China.
Adobe PDF(192Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1015/358  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li J;  Chong M;  Heng Y;  Xu J;  Liu H;  Bian L;  Chi X;  Zhai Y;  Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jml@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1035/245  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, GR;  Zhou, X;  Yang, FH;  Tan, PH;  Zheng, HZ;  Zeng, YP;  Li, GR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：902/357  |  提交时间：2010/03/17
Growth and characterization of 4H-SiC by horizontal hot-wall CVD 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Sun, GS;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(925Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1480/293  |  提交时间：2010/03/29
Chemical-vapor-deposition  
Molecular beam epitaxial growth of GaN on 3c-SiC/Si(111) substrates using a thick AIN buffer layer 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Gao, X;  Li, JM;  Sun, GS;  Zhang, NH;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Gao, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1172Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1252/196  |  提交时间：2010/03/29
Si(111)  Aln  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, L;  Zheng, HZ;  Tan, PH;  Zhou, X;  Ji, Y;  Yang, FH;  Li, GR;  Zeng, YX;  Zhu, L, Sichuan Univ, Coll Phys Sci & Technol, Chengdu 610064, Peoples R China. 电子邮箱地址: zl_pin@sohu.com
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Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Sun, GS;  Ning, J;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(201Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1551/208  |  提交时间：2010/03/29
4h-sic  Lpcvd Homoepitaxial Growth  Thermal Oxidization  Mos Structures  Hot-wall Cvd