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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate
会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者:
Wei M (Wei Meng)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Pan X (Pan Xu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Zhang ML (Zhang Minglan)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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提交时间:2011/07/15
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 464-467, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:
Pan X (Pan Xu)
;
Wei M (Wei Meng)
;
Yang CB (Yang Cuibai)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
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浏览/下载:3398/831
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提交时间:2011/07/17
Ordered FePt Nanoparticle Arrays Prepared by a Micellar Method
会议论文
INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, JAN 03-08, 2010
作者:
Gao Y (Gao Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Qu S (Qu S.)
;
You JB (You J. B.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/01
Theoretical analysis of a novel polarization-insensitive AWG demultiplexer based on Si nanowire and slot waveguides
会议论文
Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering vol.7847, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-20, 2010
作者:
Zhao L (Zhao Lei)
;
An JM (An Junming)
;
Zhang JS (Zhang Jiashun)
;
Song SJ (Song Shijiao)
;
Wu YD (Wu Yuanda)
;
Hu XW (Hu Xiongwei)
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提交时间:2011/07/14
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
Si based quantum cascade structure: from energy band structures design to materials growth
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, JUN 09-14, 2008
作者:
Yu, JZ
;
Han, GQ
;
Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1829/311
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提交时间:2010/03/09
Fracture properties of PECVD silicon nitride thin films by long rectangular memrane bulge test
会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Li, Y
;
Yang, FH
;
Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Bulge Test
Fracture Property
Silicon Nitride
Weibull Distribution Function
Study of Si/SiO2 hybrid antireflective coatings on SLD prepared by DSEBET - art. no. 69842P
会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:
Sun, MX
;
Tan, MQ
;
Zhao, M
;
Sun, MX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Antireflective Coatings
Superluminescent Diodes
Double Source Electron Beam Evaporation Technology
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Ji, G
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Design of Si-based Electro-optical modulator employed dual capacitors - art. no. 68381B
会议论文
OPTOELECTRONIC DEVICES AND INTEGRATION II, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2007
作者:
Yu XG
;
Chen SW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Yu, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Optoelectronics Devices