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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  徐晓华;  倪海桥;  徐应强;  韩勤;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  伞海生;  温继敏;  刘戬;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  王良臣;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈诚;  祝宁华;  袁海庆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王建林;  刘忠立;  王良臣;  曾一平;  杨富华;  白云霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韦文生;  王天民;  张春熹;  李国华;  卢励吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  冯巍;  王幼林;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨红波;  俞重远;  刘玉敏;  黄永箴
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘仕锋;  秦国刚;  尤力平;  张纪才;  傅竹西;  戴伦
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