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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo Y;  Liu XL;  Song HP;  Yang AL;  Xu XQ;  Zheng GL;  Wei HY;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Guo, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Tingshua E Rd 35,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.E-mail Address: guoyan@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo X (Guo Xi);  Wang H (Wang Hui);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Yang H (Yang Hui);  Guo, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guox@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu, W;  Li, DB;  Li, CR;  Shen, F;  Zhang, Z;  Li, CR, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Lab Electron Microscopy, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: crli@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ni HQ;  Niu ZC;  Xu XH;  Xu YQ;  Zhang W;  Wei X;  Bian LF;  He ZH;  Han Q;  Wu RH;  Ni, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Chen YH;  Li DB;  Zhang FQ;  Yang SY;  Ma BS;  Sun GS;  Wang ZG;  Zhang XP;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Lab Semicond Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Xu B;  Zeng YP;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Li DB;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu LW;  Zhang YH;  Xu ZT;  Xu ZY;  Wang ZG;  Wang J;  Ge WK;  Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文
OPTICAL AND INFRARED THIN FILMS, 4094, SAN DIEGO, CA, 36739
作者:  Li DZ;  Huang CJ;  Cheng BW;  Wang HJ;  Yu Z;  Zhang CH;  Yu JZ;  Wang QM;  Li DZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  Sige  Refractive High Energy Electron Diffraction  Tansmission Electron Microscopy  Double Crystal X-ray Diffraction  Mobility 2-dimensional Electron  Critical Thickness  Strained Layers  Ge  Relaxation  Epilayers  Si1-xgex  Gesi/si  Gases  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HM;  Fan TW;  Wu J;  Zeng YP;  Dong JR;  Kong MY;  Wang HM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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