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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cai PF; You JB ; Zhang XW; Dong JJ; Yang XL; Yin ZG; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu XQ; Liu XL; Yang SY; Liu JM; Wei HY; Zhu QS; Wang ZG; Xu XQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlliu@red.semi.ac.cn; qszhu@semi.ac.cn
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| Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者: Chen Z; Chua SJ; Yuan HR; Liu XL; Lu DC; Han PD; Wang ZG; Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition Semiconducting Iii-v Materials Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures Carrier Confinement Effect Transistors Photoluminescence Mobility Heterojunction Interface Hfets |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cao X; Zeng YP; Kong MY; Pan LA; Wang BQ; Zhu ZP; Wang XG; Chang Y; Chu JH; Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 72 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者: Wang QY; Nie JP; Yu F; Liu ZL; Yu YH; Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Solid Phase Epitaxy SilicOn On Sapphire (Sos) Carrier Mobility |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang QY; Nie JP; Yu F; Liu ZL; Yu YH; Wang QY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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