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| 砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 白一鸣; 梁平; 王晓晖 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高永亮; 惠峰; 王文军 Adobe PDF(287Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1293/173  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高永亮; 惠峰; 王文军 Adobe PDF(271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1251/192  |  提交时间:2009/06/11 |
| 直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果 2007 主要完成人: 李晋闽; 曾一平; 惠峰; 卜俊鹏; 王文军; 郑红军; 孙红方 收藏  |  浏览/下载:2277/0  |  提交时间:2010/04/13 六英寸半绝缘砷化镓单晶 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xiao-Jie, Y (Yang Xiao-Jie); Qing, W (Wang Qing); Wen-Quan, M (Ma Wen-Quan); Liang-Hui, C (Chen Liang-Hui); Xiao-Jie, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nano Optoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yangxj@semi.ac.cn Adobe PDF(283Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1044/294  |  提交时间:2010/03/29 |
| InN薄膜的三维生长及其对材料性质的影响 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007 作者: 王辉 Adobe PDF(4693Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:810/29  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 刘宗顺; 赵德刚; 朱建军; 张书明; 段俐宏; 王海; 史永生; 刘文宝; 张爽; 江德生; 杨辉 Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1442/486  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 李德尧; 张书明; 王建峰; 陈俊; 陈良惠; 种明; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 杨辉; 梁骏吾 Adobe PDF(297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1384/349  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王勇刚; 彭继迎; 檀慧明; 钱龙生; 柴路; 张志刚; 王清月; 林涛; 马骁宇 Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:881/269  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 李亮; 王欣; 刘宇; 黄亨沛; 谢亮; 祝宁华 Adobe PDF(463Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1063/408  |  提交时间:2010/11/23 |