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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [9]
作者
刘宇 [4]
陈良惠 [1]
侯识华 [1]
杨晓红 [1]
文献类型
期刊论文 [7]
会议论文 [2]
发表日期
2004 [9]
语种
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出处
半导体学报 [3]
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发表日期:2004
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A silicon capacitive microphone based on oxidized porous silicon sacrificial technology
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Ning, J
;
Liu, ZL
;
Liu, HZ
;
Ge, YC
;
Ning, J, Chinese Acad Sci, Microelect R&D Ctr, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1158/186
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提交时间:2010/03/29
Silicon Capacitive Microphone
Oxidized Porous Silicon
Sacrificial Layer
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Sun, GS
;
Ning, J
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1543/208
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提交时间:2010/03/29
4h-sic
Lpcvd Homoepitaxial Growth
Thermal Oxidization
Mos Structures
Hot-wall Cvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王海嵩
;
杜国同
;
许成栋
;
宋俊峰
;
唐君
;
陈弘达
;
刘宇
;
祝宁华
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张胜利
;
孙建伟
;
刘宇
;
祝宁华
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浏览/下载:898/324
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
康香宁
;
宋国峰
;
叶晓军
;
侯识华
;
陈良惠
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浏览/下载:841/245
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
孙建伟
;
张胜利
;
王幼林
;
谢亮
;
祝宁华
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浏览/下载:1561/583
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张胜利
;
刘宇
;
孙建伟
;
祝宁华
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浏览/下载:1013/383
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
黄辉
;
王兴妍
;
王琦
;
黄永清
;
任晓敏
;
高俊华
;
张胜利
;
刘宇
;
祝宁华
;
马骁宇
;
杨晓红
;
吴荣汉
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浏览/下载:966/256
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
仇志军
;
桂永胜
;
崔利杰
;
曾一平
;
黄志明
;
疏小舟
;
戴宁
;
郭少令
;
禇君浩
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浏览/下载:847/228
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提交时间:2010/11/23