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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wu, Jingmin; He, Zhi; Guo, Zhiyu; Tian, Run; Wang, Fengxuan; Liu, Min; Yang, Xiang; Fan, Zhongchao; Yang, Fuhua Adobe PDF(1703Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2022/05/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Guo, Zhiyu; Wu, Jingmin; Tian, Run; Wang, Fengxuan; Xu, Pengfei; Yang, Xiang; Fan, Zhongchao; Yang, Fuhua; He, Zhi Adobe PDF(2921Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2022/05/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Min Liu; Shuyuan Zhang; Xiang Yang; Xue Chen; Zhongchao Fan; Xiaodong Wang; Fuhua Yang; Chao Ma; Zhi He Adobe PDF(909Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:110/0  |  提交时间:2019/11/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yanan Liang; Lifang Jia; Zhi He; Zhongchao Fan; Yun Zhang; Fuhua Yang Adobe PDF(1195Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:443/7  |  提交时间:2017/03/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Lifang Jia; Wei Yan; Zhongchao Fan; Zhi He; Xiaodong Wang; Guohong Wang; Fuhua Yang Adobe PDF(712Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:616/176  |  提交时间:2014/03/26 |
| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10 发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华 Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:877/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:720/1  |  提交时间:2016/08/30 |
| 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 李迪; 贾利芳; 何志; 樊中朝; 杨富华 Adobe PDF(982Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:653/2  |  提交时间:2016/09/12 |
| 材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 刘胜北; 黄亚军; 杨香; 段瑞飞; 张明亮; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:764/3  |  提交时间:2016/09/28 |
| 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 王晓峰; 黄亚军; 潘岭峰; 樊中朝; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:683/2  |  提交时间:2016/09/12 |