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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [5]
作者
俞金玲 [1]
文献类型
专利 [3]
期刊论文 [2]
发表日期
2014 [1]
2011 [1]
语种
英语 [2]
出处
APPLIED PH... [1]
SCIENTIFIC... [1]
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SCI [2]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Mei, FH
;
Zhang, S
;
Tang, N
;
Duan, JX
;
Xu, FJ
;
Chen, YH
;
Ge, WK
;
Shen, B
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浏览/下载:567/111
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提交时间:2015/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yin CM
;
Tang N
;
Zhang S
;
Duan JX
;
Xu FJ
;
Song J
;
Mei FH
;
Wang XQ
;
Shen B
;
Chen YH
;
Yu JL
;
Ma H
;
Yin, CM, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop, Beijing 100871, Peoples R China. ntang@pku.edu.cn
;
bshen@pku.edu.cn
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浏览/下载:1273/358
  |  
提交时间:2011/07/05
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:737/0
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提交时间:2016/08/30
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
杨香
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
田丽欣
;
刘敏
;
申占伟
;
赵万顺
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:833/0
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提交时间:2016/09/29
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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提交时间:2016/09/28