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| 半导体中的自旋调制及自旋霍尔效应研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者: 曾晓琳 Adobe PDF(4095Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:489/3  |  提交时间:2022/07/26 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 张希林 Adobe PDF(3611Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1379/570  |  提交时间:2014/05/30 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Gu CY (Gu Cheng-Yan); Liu GP (Liu Gui-Peng); Shi K (Shi Kai); Song YF (Song Ya-Feng); Li CM (Li Cheng-Ming); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) Adobe PDF(136Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:911/218  |  提交时间:2013/03/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhao GJ (Zhao Gui-Juan); Li ZW (Li Zhi-Wei); Wei HY (Wei Hong-Yuan); Liu GP (Liu Gui-Peng); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) Adobe PDF(1069Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:907/187  |  提交时间:2013/03/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Lin DF (Lin D. F.); Wang XL (Wang X. L.); Xiao HL (Xiao H. L.); Wang CM (Wang C. M.); Qiang LJ (Qiang L. J.); Feng C (Feng C.); Chen H (Chen H.); Hou QF (Hou Q. F.); Deng QW (Deng Q. W.); Bi Y (Bi Y.); Kang H (Kang H.) Adobe PDF(586Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:978/209  |  提交时间:2012/02/21 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Guo Y (Guo Yan); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Song HP (Song Hua-Ping); Yang AL (Yang An-Li); Zheng GL (Zheng Gao-Lin); Wei HY (Wei Hong-Yuan); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Guo, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: guoyan@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn Adobe PDF(536Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1465/374  |  提交时间:2010/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王振华; 杨安丽; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(733Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1175/259  |  提交时间:2011/08/16 |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1526/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1423/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德 Adobe PDF(285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1492/221  |  提交时间:2011/08/31 |