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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qiucheng Li;   Qingqing Wu;   Jing Gao;   Tongbo Wei;   Jingyu Sun;   Hao Hong;   Zhipeng Dou;   Zhepeng Zhang;   Mark H. Rümmeli;   Peng Gao;   Jianchang Yan;   Junxi Wang;   Jinmin Li;   Yanfeng Zhang;   Zhongfan Liu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nan Guan;  Xing Dai;  Agnès Messanvi;  Hezhi Zhang;  Jianchang Yan;  Eric Gautier;  Catherine Bougero;  François H. Julien;  Christophe Durand;  Joël Eymery;  Maria Tchernycheva
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, SX;  Wang, JX;  Yan, JC;  Zhang, Y;  Pei, YR;  Si, Z;  Yang, H;  Zhao, LX;  Liu, Z;  Li, JM
Adobe PDF(1097Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:926/235  |  提交时间:2015/05/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, SX;  Wang, JX;  Yan, JC;  Zhang, Y;  Pei, YR;  Si, Z;  Yang, H;  Zhao, LX;  Liu, Z;  Li, JM
Adobe PDF(1097Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:679/165  |  提交时间:2015/05/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王兵;  李志聪;  姚然;  梁萌;  闫发旺;  王国宏
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平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
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全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1887/288  |  提交时间:2011/08/31
采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1527/280  |  提交时间:2011/08/31