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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Qiucheng Li; Qingqing Wu; Jing Gao; Tongbo Wei; Jingyu Sun; Hao Hong; Zhipeng Dou; Zhepeng Zhang; Mark H. Rümmeli; Peng Gao; Jianchang Yan; Junxi Wang; Jinmin Li; Yanfeng Zhang; Zhongfan Liu
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Nan Guan; Xing Dai; Agnès Messanvi; Hezhi Zhang; Jianchang Yan; Eric Gautier; Catherine Bougero; François H. Julien; Christophe Durand; Joël Eymery; Maria Tchernycheva
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhu, SX; Wang, JX; Yan, JC; Zhang, Y; Pei, YR; Si, Z; Yang, H; Zhao, LX; Liu, Z; Li, JM
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhu, SX; Wang, JX; Yan, JC; Zhang, Y; Pei, YR; Si, Z; Yang, H; Zhao, LX; Liu, Z; Li, JM
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王兵 ; 李志聪 ; 姚然; 梁萌 ; 闫发旺; 王国宏
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| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波 ; 魏学成 ; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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