| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 |
| 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2011-08-31
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用离子注入及后退火工艺实现非极性GaN基稀磁半导体材料的制备，包括以下步骤：对GaN基底材料进行离子注入；以及对离子注入后的GaN基底材料进行快速退火处理。利用本发明可以获得居里温度(Tc)高于室温的非极性GaN基稀磁半导体材料。非极性GaN基稀磁半导体材料具有独特的面内结构、光学、电学和磁学性质的各向异性分布特性。非极性GaN基稀磁半导体材料的高居里温度性质和独特的面内各向异性分布规律，使其在磁光、磁电等领域具有重要的应用价值。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
|
| 专利号 | CN201010201489.0
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN201010201489.0
|
| 专利代理人 | 周国城
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22141
|
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
孙莉莉,闫发旺,张会肖,等. 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法. CN201010201489.0.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论