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| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 任芸芸; 徐波; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国 Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1531/234  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国 Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1702/236  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国 Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1557/216  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1297/198  |  提交时间:2009/06/11 |
| 自动搅拌滴料桶 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04 发明人: 王大拯; 王俊; 吕卉; 李伟; 刘秀英; 张海艳; 赖剑雷; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(274Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1247/184  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙 Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1257/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东 Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1399/237  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 丁颖; 王圩; 潘教青; 王宝军; 陈娓兮 Adobe PDF(978Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1508/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1158/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉 Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1425/204  |  提交时间:2009/06/11 |