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| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02 发明人: 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊 Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:769/108  |  提交时间:2014/11/24 |
| 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22 发明人: 王翠梅; 王晓亮; 彭恩超; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:692/80  |  提交时间:2014/12/25 |
| 实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07 发明人: 黄永光; 朱洪亮; 崔晓 Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:683/71  |  提交时间:2014/11/17 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 彭恩超; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:724/98  |  提交时间:2014/10/31 |
| 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13 发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:813/94  |  提交时间:2014/10/24 |
| 密封传动装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 王晓亮; 崔磊; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(720Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:776/108  |  提交时间:2014/11/24 |
| 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29 发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(597Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:649/87  |  提交时间:2014/12/25 |
| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:475/0  |  提交时间:2016/09/28 |
| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉 Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:504/2  |  提交时间:2016/09/28 |
| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:591/3  |  提交时间:2016/09/28 |