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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [13]
中国科学院半导体研究... [7]
作者
伊晓燕 [20]
刘志强 [7]
杨华 [2]
李艳 [1]
谢海忠 [1]
文献类型
专利 [20]
发表日期
2009 [1]
2008 [4]
2007 [1]
2006 [1]
语种
中文 [20]
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共20条,第1-10条
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语种:中文
文献类型:专利
作者:伊晓燕
第一作者
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55
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65
70
75
80
85
90
95
100
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作者升序
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采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
伊晓燕
;
王良臣
;
王国宏
;
李晋闽
Adobe PDF(529Kb)
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浏览/下载:1544/250
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提交时间:2009/06/11
一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王立彬
;
伊晓燕
;
刘志强
;
陈宇
;
郭德博
;
王良臣
Adobe PDF(462Kb)
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浏览/下载:1673/265
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提交时间:2009/06/11
低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈宇
;
王良臣
;
伊晓燕
;
李艳
Adobe PDF(386Kb)
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浏览/下载:1547/257
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提交时间:2009/06/11
P型氮化镓电极的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈宇
;
王良臣
;
伊晓燕
Adobe PDF(368Kb)
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浏览/下载:1432/202
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提交时间:2009/06/11
GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈宇
;
王良臣
;
伊晓燕
;
郭金霞
Adobe PDF(581Kb)
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浏览/下载:1560/229
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提交时间:2009/06/11
采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王良臣
;
伊晓燕
;
刘志强
Adobe PDF(698Kb)
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浏览/下载:1317/171
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提交时间:2009/06/11
背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马龙
;
王良臣
;
王立彬
;
郭金霞
;
伊晓燕
Adobe PDF(550Kb)
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浏览/下载:1169/164
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提交时间:2009/06/11
发光二极管封装结构
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
杨华
;
卢鹏志
;
谢海忠
;
于飞
;
郑怀文
;
薛斌
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:1513/231
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提交时间:2012/09/09
氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郭恩卿
;
伊晓燕
;
汪炼成
;
孙波
;
王国宏
Adobe PDF(298Kb)
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浏览/下载:1508/234
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提交时间:2012/09/09
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
詹腾
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
刘志强
;
伊晓燕
;
王国宏
Adobe PDF(278Kb)
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浏览/下载:1468/211
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提交时间:2012/09/09