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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hao GD (Hao Guo-Dong); Chen YH (Chen Yong-Hai); Fan YM (Fan Ya-Ming); Huang XH (Huang Xiao-Hui); Wang HB (Wang Huai-Bing); Hao, GD, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Nanodevices & Mat Div, Suzhou 215125, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang SJ; Huang YZ; Yang YD ; Hu YH; Xiao JL; Du Y; Huang, YZ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: yzhuang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang C (Yang C.); Cui GX (Cui G. X.); Huang YY (Huang Y. Y.); Wu L (Wu L.); Yang H (Yang H.); Zhang YH (Zhang Y. H.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gong M (Gong Ming); Chen G (Chen Geng); He LX (He Lixin); Li CF (Li Chuan-Feng); Tang JS (Tang Jian-Shun); Sun FW (Sun Fang-Wen); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Huang SS (Huang She-Song); Xiong YH (Xiong Yong-Hua); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Guo GC (Guo Guang-Can); Gong, M, Univ Sci & Technol China, CAS, Key Lab Quantum Informat, Hefei 230026, Peoples R China. 电子邮箱地址: helx@ustc.edu.cn; cfli@ustc.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄永箴; 王世江; 杨跃德; 肖金龙; 胡永红; 杜云
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄寓洋; 刘惠春; Wasileweski Z R; Buchanan M; Laframboise S R; 杨晨; 崔国新; 边历峰; 杨辉; 张耀辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨晨; 崔国新; 黄寓洋; 张耀辉; 杨辉
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