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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军 Adobe PDF(986Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1464/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1062Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1462/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1379/172  |  提交时间:2009/06/11 |
| AlGaN/GaN HEMT材料及微波功率器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008 作者: 罗卫军 Adobe PDF(3587Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1011/80  |  提交时间:2009/04/13 |
| 量子输运的主方程方法以及在量子点系统中的应用 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008 作者: 骆钧炎 Adobe PDF(1358Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:843/19  |  提交时间:2009/04/13 |