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晶片直接键合过程中实验参数的优化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵洪泉;  于丽娟;  黄永箴
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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一种低温晶片直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵洪泉;  于丽娟;  黄永箴
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao JL (Xiao Jin-Long);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Du Y (Du Yun);  Zhao, H (Zhao Huan);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Xiao, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Li JY (Li Jia-Ye);  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Li JM (Li Jin-Min);  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  段俐宏;  王海;  史永生;  刘文宝;  张爽;  江德生;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于丽娟;  赵洪泉;  杜云;  李敬;  黄永箴
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