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利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王俊
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在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李国华;  马宝珊;  王文杰;  苏付海;  丁琨;  赵建华;  邓加军;  蒋春萍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗卫军;  陈晓娟;  李成瞻;  刘新宇;  和致经;  魏珂;  梁晓新;  王晓亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  崔敏;  张维佳;  钟立志;  吴小文;  王天民;  李国华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马宝珊;  王文杰;  苏付海;  邓加军;  蒋春萍;  刘海林;  丁琨;  赵建华;  李国华
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